特色

• 新的电子枪和电子光学设计提高了低加速电压性能。

  0.4 nm / 30 kV (SE)

  1.2 nm / 1 kV (SE)

  0.34 nm / 30 kV (STEM)

• 用改良的高真空性能和****的电子束稳定性来实现高效率截面观察。

• 采用全新设计的Super E x B能量过滤技术，高效，灵活地收集SE / BSE/ STEM信号。